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400-009-7767 項目簡介
顯微結構表征是指通過顯微鏡等儀器來研究無機材料、復合材料、各種新材料等的顯微組織大小、形貌、分布、數量的一種方法。
由于對復雜結構的高質量、快速分析和成像的需求日益增加，高級（掃描）透射電子顯微鏡 (S)TEM 已成為所有前沿晶片制造工作流程的必要部分。半導體設計師需要提供出色的靈活性和穩定性以及高分辨率成像的分析工具，以便正確分析和優化器件性能。
除了成像外，還可對 (S)TEM 儀器使用一系列對半導體器件表征至關重要的技術，包括：用于晶體定向映射或應變分析的電子衍射、用于定性或定量成分分析的能量散射 X 射線譜 (EDS) 和用于成分和化學信息的電子能量損失譜 (EELS)。
服務范圍
支持截面觀察、量測與成分分析、與制備高質量的TEM樣品等。
常用檢測方法
FIB、SEM、TEM、球差TEM、EDS、EELS等。
設備照片
| 場發射掃描電鏡（SEM） | 場發射透射電鏡（TEM） | 球差場發射透射電鏡（球差TEM） | 聚焦離子束（FIB）制樣 |
儀器設備
借助2000+大型儀器設備和豐富的處理方案，針對各行業研發分析中的難題，提供技術支撐和指導。
技術團隊
由20多名博士、100余名碩士組成的技術過硬、經驗豐富的技術團隊，具備科研檢測的核心競爭力。
定制化服務
根據客戶需求和行業通用標準，定制化測試方案，全程跟蹤測試情況。
能力全面
在華東、華中、華北、西北地區分別建有大型綜合檢測基地，具有行業頂尖的檢驗檢測分析實驗室。
